SI2374DS-T1-BE3-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流4.5A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻23mΩ， 栅源驱动电压12V。 器件在12V栅压下呈现低阻抗特性， 直接影响导通损耗与热性能。 此参数组合适用于台式外设电源分配、服务器板级负载开关及直流电机驱动电路。 在20V以内系统中， 它能提供确定的电流控制能力， 满足对驱动电压有明确要求的电子设计需求。