SI2372DS-T1-GE3-HXY

该N沟道MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的连续漏极电流（ID）， 在标准驱动条件下导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。 其电气特性适用于中等功率的开关应用场景， 如便携式电子设备的电源管理、负载开关及同步整流等电路。 较低的导通电阻有助于控制功耗与温升， 同时支持较高的开关频率， 适合对体积和效率有一定要求的电子系统。