SI2369DS-T1-GE3
IC
可供量大可议
SI2369DS-T1-GE3
威世 P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 7.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
品牌
VISHAY
封装
库存
34,518
货期
现货
SI2369DS-T1-GE3参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 34518 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 品牌 | VISHAY/威世 |
|---|---|
| 批次 | 2624+ |
SI2369DS-T1-GE3概述
威世 P沟道增强型MOS管 TrenchFET系列, Vds=30 V, 7.6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
SI2369DS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI2369DS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。