SI2369DS-T1-BE3-HXY

本产品为P沟道场效应管（MOSFET）， 具备10A的最大漏极电流ID和30V的漏源电压VDSS， 适用于中等功率应用场景。 导通电阻RDON为14mΩ， 能够在导通状态下有效降低功耗， 提高整体效率。 器件支持最高20V的栅源电压VGS， 确保稳定工作条件下具备良好的开关性能。 采用成熟工艺制造， 具有优异的热稳定性和可靠性， 广泛适用于电源管理模块、便携式电子设备、电池供电系统及其他对能效与空间布局有要求的电子产品中。