SI2369DS-T1-BE3
自营可供
IC
SOT-23(TO-236)
SI2369DS-T1-BE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:7.6A 电流:5.4A
品牌
VISHAY
封装
SOT-23(TO-236)
交期
现货
批次
—
SI2369DS-T1-BE3参数
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W； 1.25W |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | SI2369DS-T1-BE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 7.801e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 191 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:7.6A 电流:5.4A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SI2369DS-T1-BE3概述
这些器件是采用MDmesh™ M2技术开发的N沟道功率MOSFET。 得益于其条形布局和改进的垂直结构， 这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性， 使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
SI2369DS-T1-BE3特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准且无卤素
SI2369DS-T1-BE3应用领域
- 用于移动计算-负载开关-笔记本适配器开关-DC/DC转换器