SI2369BDS-T1-GE3-HXY

本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET）， 主要参数包括：最大漏极电流ID为10A， 漏源击穿电压VDSS为30V， 导通电阻RDON典型值为14mΩ， 栅源电压VGS范围为±20V。 该器件具有低导通损耗和高开关效率， 适用于各类功率转换电路， 如DC-DC电源模块、电池管理系统、负载开关控制及小型化电子设备中的功率管理单元， 可为系统提供稳定的性能支持。