SI2367DS-T1-BE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2367DS-T1-BE3-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流为4.2A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻典型值48mΩ， 栅源驱动电压12V。 其参数特性适用于低压电源管理中的高侧开关控制， 常见于便携式设备的电池保护电路及负载切换模块。 在直流电机驱动与信号电平转换应用中， 该器件能提供稳定的电流承载能力， 协助优化系统功耗并简化外围驱动逻辑设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
85
货期
现货
SI2367DS-T1-BE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
SI2367DS-T1-BE3-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流为4.2A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻典型值48mΩ， 栅源驱动电压12V。 其参数特性适用于低压电源管理中的高侧开关控制， 常见于便携式设备的电池保护电路及负载切换模块。 在直流电机驱动与信号电平转换应用中， 该器件能提供稳定的电流承载能力， 协助优化系统功耗并简化外围驱动逻辑设计。
SI2367DS-T1-BE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI2367DS-T1-BE3-HXY应用领域
暂无应用领域。