SI2366DS-T1-BE3
自营可供
IC
SOT-23(TO-236)
SI2366DS-T1-BE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A 电流:4.5A
品牌
VISHAY
封装
SOT-23(TO-236)
交期
现货
批次
—
SI2366DS-T1-BE3参数
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W； 2.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | SI2366DS-T1-BE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 5.5e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 89 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 335pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A 电流:4.5A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SI2366DS-T1-BE3概述
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A 电流:4.5A
SI2366DS-T1-BE3特性
- 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
SI2366DS-T1-BE3应用领域
- 直流-直流转换器、高频开关
- 负载开关
- 便携式和消费类应用