SI2365EDS-T1-GE3-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流5A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻30mΩ。 器件在低压大电流应用中展现低导通损耗特性， 适用于平板电脑电源分配、移动设备电池管理及便携式负载开关电路。 其参数设计有助于减少发热并提升系统效率， 紧凑的封装形式利于高密度电路板布局， 满足消费类电子产品对空间利用率与电气性能的平衡需求。