SI2365EDS-T1-BE3-HXY

该P沟道场效应管额定漏极电流为5A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻30mΩ。 器件在低栅压驱动下即可进入低阻导通状态， 有效降低通路功耗与热积累。 其电气特性适用于便携式电子产品电源管理、电池组保护电路及板级负载开关， 满足低压大电流场景下的空间紧凑与能效要求， 确保系统在20V以内电压范围稳定工作。