SI2343DS-T1-BE3-HXY

本P沟道场效应管（MOSFET）具有4.2A连续漏极电流（ID）和30V漏源电压（VDSS）的额定值， 导通电阻（RDON）低至45毫欧， 可有效提升电路效率并降低温升。 器件适用于各类中低功率电源转换与控制场合， 如便携式电子产品、智能控制模块、通信设备及家用电器中的电源管理单元， 提供稳定可靠的开关性能。