SI2343CDS-T1-GE3
IC
SOT-23-3
可供量大可议
SI2343CDS-T1-GE3
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品牌
VBsemi
封装
SOT-23-3
库存
2,954
货期
现货
SI2343CDS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 22+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 540pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2954 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF |
| 类型 | P沟道 |
SI2343CDS-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 1.25W； 2.5W 30V 5.9A 1个P沟道
SI2343CDS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI2343CDS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。