SI2338DS-T1-BE3-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和5.8A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至22mΩ， 有助于提升电路效率并减少发热。 器件结构设计优化， 具备良好的开关特性和热稳定性， 适用于多种中低功率电源管理、开关电路、电池供电设备、消费类电子产品及嵌入式系统的功率控制应用。