SI2333DS-T1-E3-VB
IC
SOT-23-3
可供量大可议
SI2333DS-T1-E3-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； P—Channel沟道, -20V； -5A； RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V, VGS=8V； Vth=-0.45~-1V； 是一款单P通道功率MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
Brand
VBsemi
Package
SOT-23-3
Stock
50
货期
现货
SI2333DS-T1-E3-VBParameters
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
SI2333DS-T1-E3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； P—Channel沟道, -20V； -5A； RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V, VGS=8V； Vth=-0.45~-1V； 是一款单P通道功率MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
SI2333DS-T1-E3-VB特性
暂无产品特性。
SI2333DS-T1-E3-VB应用领域
暂无应用领域。