SI2333DDS-T1-GE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2333DDS-T1-GE3-HXY
ID:7A, VDSS:20V, RDON:20mR, TYPE:P沟道
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
75
货期
现货
SI2333DDS-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
SI2333DDS-T1-GE3-HXY概述
ID:7A, VDSS:20V, RDON:20mR, TYPE:P沟道
SI2333DDS-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI2333DDS-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。