SI2333-TP-VB
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2333-TP-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT23-3； P—Channel沟道； -20V； -3.5A； RDS(ON)=71(mΩ)@VGS=10V； VGS=±12V； Vth=-0.8V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
SOT-23
库存
40
货期
现货
SI2333-TP-VB参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
SI2333-TP-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT23-3； P—Channel沟道； -20V； -3.5A； RDS(ON)=71(mΩ)@VGS=10V； VGS=±12V； Vth=-0.8V； 采用Trench技术
SI2333-TP-VB特性
暂无产品特性。
SI2333-TP-VB应用领域
暂无应用领域。