SI2325DS-T1-GE3
自营可供
IC
SOT-23
SI2325DS-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 750mW 150V 530mA 1个P沟道
品牌
VISHAY
封装
SOT-23
交期
现货
批次
两年内
SI2325DS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 510pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,780 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 耗散功率(Pd) | 750mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@75V |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF |
| 类型 | P沟道 |
SI2325DS-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 750mW 150V 530mA 1个P沟道