SI2325DS-T1-GE3
IC
可供量大可议
SI2325DS-T1-GE3
750mW(Ta) 20V 4.5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个P沟道 150V 1.2Ω@ 500mA, 10V 530mA 510pF@25V SOT-23-3， TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
品牌
VISHAY
封装
库存
9,073
货期
现货
SI2325DS-T1-GE3参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9073 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 品牌 | VISHAY/威世 |
|---|---|
| 批次 | 2536+ |
SI2325DS-T1-GE3概述
750mW(Ta) 20V 4.5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个P沟道 150V 1.2Ω@ 500mA, 10V 530mA 510pF@25V SOT-23-3， TO-236 贴片安装 1.12mm(高度)
SI2325DS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI2325DS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。