SI2323DS-T1-E3-VB
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2323DS-T1-E3-VB
台积电流片， 长电封测。 P沟道, -򘞟 򏟋 V, -𢺫 A, RDS(ON), 󺺆 𮧂 mΩ@򘞟 񄂹 𢺫 V, 򬓹 󺺆 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； -򏟋 񄂹 𮧂 Vth(V) 封装：SOT򘞟 򬓹 -𮧂 具有低漏极-源极电阻、高栅极-源极电压和高漏极电流的特点。 它适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
品牌
VBsemi
封装
SOT-23
库存
8
货期
现货
SI2323DS-T1-E3-VB参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
SI2323DS-T1-E3-VB概述
台积电流片， 长电封测。 P沟道, -򘞟 򏟋 V, -𢺫 A, RDS(ON), 󺺆 𮧂 mΩ@򘞟 񄂹 𢺫 V, 򬓹 󺺆 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； -򏟋 񄂹 𮧂 Vth(V) 封装：SOT򘞟 򬓹 -𮧂 具有低漏极-源极电阻、高栅极-源极电压和高漏极电流的特点。 它适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
SI2323DS-T1-E3-VB特性
暂无产品特性。
SI2323DS-T1-E3-VB应用领域
暂无应用领域。