SI2323DS-T1-E3-MS

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这种先进技术经过专门设计， 可最大限度地降低导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合高效率快速开关应用。