SI2319DS-T1-GE3
IC
SOT-23-3
可供量大可议
SI2319DS-T1-GE3
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 应用：负载开关
品牌
VISHAY
封装
SOT-23-3
库存
10,189
货期
现货
SI2319DS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10189 |
SI2319DS-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 应用：负载开关
SI2319DS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI2319DS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。