SI2319DDS-T1-GE3
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2319DDS-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。 符合 RoHS 标准， 无卤素。 应用：电池开关。 电机驱动控制
品牌
VISHAY
封装
SOT-23
库存
2,277
货期
现货
SI2319DDS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF |
| 类型 | P沟道 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2277 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 650pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI2319DDS-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 1W； 1.7W 40V 2.7A； 3.6A 1个P沟道
SI2319DDS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI2319DDS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。