SI2318CDS-T1-GE3-VB

台积电流片, 长电封测。 N沟道, 30V, 6.5A, RDS(ON), 30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.7Vth(V)封装:SOT23-3具有低导通电阻、高电流能力、低驱动阈值电压等特点, 特别适合空间受限、需高效开关或大电流驱动的低压电子系统。