SI2318CDS-T1-GE3
IC
SOT-23-3（TO-236）
可供量大可议
SI2318CDS-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 1.25W； 2.1W 40V 5.6A 1个N沟道
品牌
VISHAY
封装
SOT-23-3（TO-236）
库存
108,000
货期
现货
SI2318CDS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23-3（TO-236） |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 340pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 108,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF |
| 类型 | N沟道 |
SI2318CDS-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 1.25W； 2.1W 40V 5.6A 1个N沟道
SI2318CDS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI2318CDS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。