SI2317A
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2317A
特性：使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压：-20V。 当栅源电压为 -4.5V， 漏极电流为 -4.2A 时， 导通电阻小于 40mΩ。 当栅源电压为 -2.5V， 漏极电流为 -3.4A 时， 导通电阻小于 50mΩ
品牌
UMW
封装
SOT-23
库存
2,760
货期
现货
SI2317A参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2760 |
SI2317A概述
特性：使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压：-20V。 当栅源电压为 -4.5V， 漏极电流为 -4.2A 时， 导通电阻小于 40mΩ。 当栅源电压为 -2.5V， 漏极电流为 -3.4A 时， 导通电阻小于 50mΩ
SI2317A特性
暂无产品特性。
SI2317A应用领域
暂无应用领域。