SI2316DS-T1-GE3
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2316DS-T1-GE3
SOT򘞟 򬓹 N—Channel沟道, 򬓹 򏟋 V; 𮧂 񄂹 𢺫 A; RDS(ON)=򬓹 򏟋 mΩ@VGS=󗙻 򏟋 V, VGS=򘞟 򏟋 V; Vth=󗙻 񄂹 򘞟 ~򘞟 񄂹 򘞟 V
品牌
VBsemi
封装
SOT-23
库存
4
货期
现货
SI2316DS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 23+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
| MOQ / SPQ | 4 / 1 |
SI2316DS-T1-GE3概述
SOT򘞟 򬓹 N—Channel沟道, 򬓹 򏟋 V; 𮧂 񄂹 𢺫 A; RDS(ON)=򬓹 򏟋 mΩ@VGS=󗙻 򏟋 V, VGS=򘞟 򏟋 V; Vth=󗙻 񄂹 򘞟 ~򘞟 񄂹 򘞟 V
SI2316DS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI2316DS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。
