SI2314DS-T1-E3
IC
可供量大可议
SI2314DS-T1-E3
N—Channel沟道, 20V, 6A, RDS(ON), 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V, 8Vgs(±V)； 0.45~1Vth(V) 封装：SOT23-3
品牌
VBsemi
封装
库存
988
货期
现货
SI2314DS-T1-E3参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 988 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
|---|---|
| 批次 | 23+ |
SI2314DS-T1-E3概述
N—Channel沟道, 20V, 6A, RDS(ON), 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V, 8Vgs(±V)； 0.45~1Vth(V) 封装：SOT23-3
SI2314DS-T1-E3特性
暂无产品特性。
SI2314DS-T1-E3应用领域
暂无应用领域。