SI2312CDS-T1-GE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2312CDS-T1-GE3-HXY
ID:𮧂 A, VDSS:򘞟 򏟋 V, RDON:򘞟 򘞟 mR, VGS:󗙻 򘞟 V, TYPE:N沟道
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
130
货期
现货
SI2312CDS-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET/深圳华轩阳 |
| 批次 | 25+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 130 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
SI2312CDS-T1-GE3-HXY概述
ID:𮧂 A, VDSS:򘞟 򏟋 V, RDON:򘞟 򘞟 mR, VGS:󗙻 򘞟 V, TYPE:N沟道
SI2312CDS-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI2312CDS-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。