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SI2312CDS-T1-GE3
IC

可供量大可议

SI2312CDS-T1-GE3

N沟道 20V 6A 28mΩ@4.5V SOT23-3

品牌

VBsemi

封装

库存

59

货期

现货

SI2312CDS-T1-GE3参数

分类场效应管(MOSFET)
库存59
MOQ / SPQ5 / 1
品牌VBsemi/微碧半导体
批次23+

SI2312CDS-T1-GE3概述

N沟道 20V 6A 28mΩ@4.5V SOT23-3

SI2312CDS-T1-GE3特性

暂无产品特性。

SI2312CDS-T1-GE3应用领域

暂无应用领域。

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