SI2312BDS-T1-BE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2312BDS-T1-BE3-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为4.5A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻23mΩ， 栅源电压额定值12V。 器件在20V电压范围内具备低导通损耗特性， 适用于笔记本电脑电源管理、电池保护电路及便携式设备负载开关。 其参数设计有助于优化系统能效， 适合对空间和热性能有严格要求的消费类电子应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
75
货期
现货
SI2312BDS-T1-BE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
SI2312BDS-T1-BE3-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为4.5A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻23mΩ， 栅源电压额定值12V。 器件在20V电压范围内具备低导通损耗特性， 适用于笔记本电脑电源管理、电池保护电路及便携式设备负载开关。 其参数设计有助于优化系统能效， 适合对空间和热性能有严格要求的消费类电子应用。
SI2312BDS-T1-BE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI2312BDS-T1-BE3-HXY应用领域
暂无应用领域。