SI2311DS-T1-GE3
IC
SOT-23-3
可供量大可议
SI2311DS-T1-GE3
P—Channel沟道, -򘞟 򏟋 V, -󺺆 A, RDS(ON), 𢺫 𛾾 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򑵼 򬓹 mΩ@򘞟 񄂹 𢺫 V, 󗙻 򘞟 Vgs(±V)； -򏟋 񄂹 򑵼 󗙻 Vth(V) 封装：SOT򘞟 򬓹 -򬓹
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-3
库存
200
货期
现货
SI2311DS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 23+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
SI2311DS-T1-GE3概述
P—Channel沟道, -򘞟 򏟋 V, -󺺆 A, RDS(ON), 𢺫 𛾾 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򑵼 򬓹 mΩ@򘞟 񄂹 𢺫 V, 󗙻 򘞟 Vgs(±V)； -򏟋 񄂹 򑵼 󗙻 Vth(V) 封装：SOT򘞟 򬓹 -򬓹
SI2311DS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI2311DS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。