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SI2310-TP
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IC

SOT-23

SI2310-TP

场效应管(MOSFET) 350mW 60V 3A 1个N沟道

品牌

MCC

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

SI2310-TP参数

封装SOT-23
品牌MCC(美微科)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))105mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)247pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存30,498
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)1.2W
栅极电荷量(Qg)6nC@4.5V
反向传输电容(Crss)19.5pF

SI2310-TP概述

场效应管(MOSFET) 350mW 60V 3A 1个N沟道

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