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SI2309
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IC

SOT-23-3L

SI2309

场效应管(MOSFET) 1W 60V 2A 1个P沟道

品牌

BORN

封装

SOT-23-3L

交期

现货

批次

26+

SI2309参数

封装SOT-23-3L
品牌BORN(伯恩半导体)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))200mΩ@4.5V
栅极电荷量(Qg)5.4nC@30V
反向传输电容(Crss)15pF
分类场效应管(MOSFET)
库存28,128
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)800mW
输入电容(Ciss)310pF
工作温度-50℃~+150℃

SI2309概述

场效应管(MOSFET) 1W 60V 2A 1个P沟道

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