SI2305CDS-T1-GE3
IC
SOT-23-3(TO-236-3)
可供量大可议
SI2305CDS-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 960mW； 1.7W 8V 5.8A 1个P沟道
品牌
VISHAY
封装
SOT-23-3(TO-236-3)
库存
11,591
货期
现货
SI2305CDS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23-3(TO-236-3) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@1.8V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 96pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11,591 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 8V |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@8V |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF |
| 类型 | P沟道 |
SI2305CDS-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 960mW； 1.7W 8V 5.8A 1个P沟道
SI2305CDS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI2305CDS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。