SI2304DDS-T1-GE3
自营可供
IC
SOT-23
SI2304DDS-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 1.1W； 1.7W 30V 3.3A； 3.6A 1个N沟道
品牌
VISHAY
封装
SOT-23
交期
现货
批次
两年内
SI2304DDS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 输入电容(Ciss) | 235pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15,904 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF |
SI2304DDS-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 1.1W； 1.7W 30V 3.3A； 3.6A 1个N沟道