SI2304BDS-T1-GE3
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2304BDS-T1-GE3
ID:󺺆 A, VDSS:򬓹 򏟋 V, RDON:򘞟 񤗸 mR, VGS:򘞟 򏟋 V, TYPE:N沟道
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
40
货期
现货
SI2304BDS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET/深圳华轩阳 |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 225pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 690mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC@5V |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | SI2304BDS-T1-GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.5e-05 |
SI2304BDS-T1-GE3概述
ID:󺺆 A, VDSS:򬓹 򏟋 V, RDON:򘞟 񤗸 mR, VGS:򘞟 򏟋 V, TYPE:N沟道
SI2304BDS-T1-GE3特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义, 无卤
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 测试栅极电阻 (Rg)
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
SI2304BDS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。