SI2304
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2304
类型 1个N沟道； 漏源电压(Vdss) 30V； 连续漏极电流(Id) 3.3A； 导通电阻(RDS(on)) 0.049Ω@10V, 3.2A； 耗散功率(Pd) 350mW； 阈值电压(Vgs(th)) 1.2V； 输入电容(Ciss@Vds) 235pF@15V； 反向传输电容(Crss) 17pF@15V
品牌
LGE
封装
SOT-23
库存
2,700
货期
现货
SI2304参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | LGE(鲁光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2700 |
SI2304概述
类型 1个N沟道； 漏源电压(Vdss) 30V； 连续漏极电流(Id) 3.3A； 导通电阻(RDS(on)) 0.049Ω@10V, 3.2A； 耗散功率(Pd) 350mW； 阈值电压(Vgs(th)) 1.2V； 输入电容(Ciss@Vds) 235pF@15V； 反向传输电容(Crss) 17pF@15V
SI2304特性
暂无产品特性。
SI2304应用领域
暂无应用领域。