SI2303CDS-T1-GE3-MS
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2303CDS-T1-GE3-MS
P-Channel 增强模式功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。 这种先进技术经过专门设计， 可最大限度地降低导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。
品牌
MSKSEMI
封装
SOT-23
库存
410
货期
现货
SI2303CDS-T1-GE3-MS参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 410 |
SI2303CDS-T1-GE3-MS概述
P-Channel 增强模式功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。 这种先进技术经过专门设计， 可最大限度地降低导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。
SI2303CDS-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SI2303CDS-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。