SI2302CDS-T1-GE3-MS
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2302CDS-T1-GE3-MS
N-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这种先进技术专门用于最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。
品牌
MSKSEMI
封装
SOT-23
库存
940
货期
现货
SI2302CDS-T1-GE3-MS参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 940 |
SI2302CDS-T1-GE3-MS概述
N-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这种先进技术专门用于最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。
SI2302CDS-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SI2302CDS-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。