SI2302CDS-T1-GE3
IC
SOT-23-3（TO-236）
可供量大可议
SI2302CDS-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 710mW 20V 2.9A 1个N沟道
品牌
VISHAY
封装
SOT-23-3（TO-236）
库存
21,101
货期
现货
SI2302CDS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23-3（TO-236） |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 21,101 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 550mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V, 4.5V |
| 类型 | N沟道 |
SI2302CDS-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 710mW 20V 2.9A 1个N沟道
SI2302CDS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI2302CDS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。