SI2302CDS-T1-BE3-VB
IC
SOT-23-3
可供量大可议
SI2302CDS-T1-BE3-VB
台积电流片， 长电封测。 򘞟 򏟋 V, 𮧂 A, RDS(ON), 򘞟 󺺆 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򬓹 򬓹 mΩ@򘞟 񄂹 𢺫 V, 򑵼 Vgs(±V)； 򏟋 񄂹 󺺆 𢺫 ~󗙻 Vth(V)封装：SOT򘞟 򬓹 -򬓹 \n一款单N型场效应晶体管， 适用于多种应用场景。 其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-3
库存
25
货期
现货
SI2302CDS-T1-BE3-VB参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
SI2302CDS-T1-BE3-VB概述
台积电流片， 长电封测。 򘞟 򏟋 V, 𮧂 A, RDS(ON), 򘞟 󺺆 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򬓹 򬓹 mΩ@򘞟 񄂹 𢺫 V, 򑵼 Vgs(±V)； 򏟋 񄂹 󺺆 𢺫 ~󗙻 Vth(V)封装：SOT򘞟 򬓹 -򬓹 \n一款单N型场效应晶体管， 适用于多种应用场景。 其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
SI2302CDS-T1-BE3-VB特性
暂无产品特性。
SI2302CDS-T1-BE3-VB应用领域
暂无应用领域。