SI2302AA
IC
SOT-23
可供量大可议
SI2302AA
MOS配置 独立式； 沟道类型 N 沟道； 漏源击穿电压（Vds) 20V； 连续漏极电流（Id) 4.5A； 栅极开启电压 (Vgs (th)) 1~2.5V； 导通内阻 (Rds (on))≤38mΩ@Vgs=4.5V； 耗散功率 (Pd) 1.25W； 工作结温范围 - 55℃~+150℃
Brand
TDD
Package
SOT-23
Stock
2,980
货期
现货
SI2302AAParameters
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | TDD(台冠电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2980 |
SI2302AA概述
MOS配置 独立式； 沟道类型 N 沟道； 漏源击穿电压（Vds) 20V； 连续漏极电流（Id) 4.5A； 栅极开启电压 (Vgs (th)) 1~2.5V； 导通内阻 (Rds (on))≤38mΩ@Vgs=4.5V； 耗散功率 (Pd) 1.25W； 工作结温范围 - 55℃~+150℃
SI2302AA特性
暂无产品特性。
SI2302AA应用领域
暂无应用领域。