SI2302-HJC
自营可供
IC
SOT-23
SI2302-HJC
SI2302-HJC
品牌
R+O
封装
SOT-23
交期
现货
批次
—
SI2302-HJC参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
| 商品型号 | SI2302-HJC |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 1.725e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3020 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 输入电容(Ciss) | 200pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
| 商品名称 | SI2302-HJC |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SI2302-HJC概述
SI2302-HJC