SI2300DS-T1-MS
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
SI2300DS-T1-MS
SI2300DS -T1-MS采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
MSKSEMI
封装
SOT-23-3L
库存
6,600
货期
现货
SI2300DS-T1-MS参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6600 |
SI2300DS-T1-MS概述
SI2300DS -T1-MS采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
SI2300DS-T1-MS特性
暂无产品特性。
SI2300DS-T1-MS应用领域
暂无应用领域。