SI2300BDS-T1-GE3-VB
自营可供
IC
SOT-23(TO-236)
SI2300BDS-T1-GE3-VB
MOS场效应管 SI2300BDS-T1-GE3-VB
品牌
VBsemi
封装
SOT-23(TO-236)
交期
现货
批次
两年内
SI2300BDS-T1-GE3-VB参数
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V； 28mΩ@2.5V； 39mΩ@1.8V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 865pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5,388 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF |
| 类型 | N沟道 |
SI2300BDS-T1-GE3-VB概述
MOS场效应管 SI2300BDS-T1-GE3-VB