SI1555DL-T1-GE3-JSM
IC
SOT-363
可供量大可议
SI1555DL-T1-GE3-JSM
N+P沟道功率沟槽MOSFET， 具备散热封装、低导通电阻等特性， 适用于电源开关等应用
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-363
库存
2,710
货期
现货
SI1555DL-T1-GE3-JSM参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2710 |
SI1555DL-T1-GE3-JSM概述
N+P沟道功率沟槽MOSFET， 具备散热封装、低导通电阻等特性， 适用于电源开关等应用
SI1555DL-T1-GE3-JSM特性
暂无产品特性。
SI1555DL-T1-GE3-JSM应用领域
暂无应用领域。