SI1499DH-T1-GE3
IC
SOT-363
可供量大可议
SI1499DH-T1-GE3
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 超低导通电阻。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：便携式设备的负载开关。 保证在VGS = 1.2V下工作， 对优化设计和延长电池寿命至关重要
品牌
VISHAY
封装
SOT-363
库存
50
货期
现货
SI1499DH-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
SI1499DH-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 超低导通电阻。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：便携式设备的负载开关。 保证在VGS = 1.2V下工作， 对优化设计和延长电池寿命至关重要
SI1499DH-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI1499DH-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。