SI1416EDH-T1-GE3
IC
SOT-363
可供量大可议
SI1416EDH-T1-GE3
N沟道, 30V, 3.9A, 0.058Ω@10V
品牌
VISHAY
封装
SOT-363
库存
5,500
货期
现货
SI1416EDH-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V |
| 类型 | N沟道 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5500 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI1416EDH-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 2.8W 30V 3.9A 1个N沟道
SI1416EDH-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI1416EDH-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。