SI1401EDH-T1-GE3
IC
SC-70-6
可供量大可议
SI1401EDH-T1-GE3
P—Channel沟道, -򘞟 򏟋 V, -󺺆 񄂹 𢺫 A, RDS(ON), 򬓹 򑵼 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 󺺆 𢺫 mΩ@򘞟 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 󗙻 ~򬓹 Vth(V)； SC𛾾 򏟋 -𮧂
品牌
VBsemi
封装
SC-70-6
库存
66
货期
现货
SI1401EDH-T1-GE3参数
| 封装 | SC-70-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 23+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 66 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.1nC@8V |
| 类型 | P沟道 |
SI1401EDH-T1-GE3概述
Trans MOSFET P-CH 12V 4A 6-Pin SC-70
SI1401EDH-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI1401EDH-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。