SI1317DL-T1-GE3-HXY

本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET）， 适用于多种低功率电源管理与开关控制应用。 其主要参数包括：漏极电流ID为1.8A， 漏源击穿电压VDSS为20V， 导通电阻RDON为120mΩ， 能够在较低功率环境下实现稳定的开关性能。 该器件具备良好的热稳定性和封装兼容性， 适用于各类消费类电子产品中的电源切换、负载控制、电池供电设备及便携式充电装置等应用场景。